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Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc PARTS MRF-1517-T1
RadiocomunicaciónPARTS

Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc PARTS MRF-1517-T1

$813MXN

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Producto original

Descripción

El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts. • Potencia de salida 8 Watts. • Ganancia de potencia 11dB. • Eficiencia- 55%. • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie. • Excelente estabilidad térmica. • Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación. • Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.

SKU: MRF1517T1

Descripción del fabricante: El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts. • Potencia de salida 8 Watts. • Ganancia de potencia 11dB. • Eficiencia- 55%. • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie. • Excelente estabilidad térmica. • Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación. • Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.