Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92. ZTX853-ND
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Descripción
El ZTX853-ND es un transistor planar de silicio NPN que se convierte en un aliado imprescindible para tus proyectos de radiocomunicación y circuitos de potencia. Con una capacidad máxima de 100 V en colector-emisor y una corriente continua de hasta 4 Amperios, este componente es ideal para aplicaciones que requieren alta eficiencia y rendimiento.
- Transistor NPN de silicio con 100 V CE
- Capacidad de corriente continua de 4 A
- Frecuencia de operación de hasta 130 MHz
- Potencia media de 1.2 W
- Formato compacto TO-92
Imagina un taller de electrónica donde un técnico está armando un amplificador de RF. Al utilizar el ZTX853-ND, puede manejar señales de alta frecuencia sin preocuparse por la saturación, lo que permite una transmisión clara y eficiente. Este transistor se convierte en la clave para garantizar que el amplificador funcione de manera óptima, incluso en condiciones extremas, gracias a su rango de temperatura de -55 a +200 °C.
N° de parte: ZTX853ND
SKU: 36399
Garantía: 3 años
Descripción del fabricante: Características Principales • Transistor NPN de silicio con 100 V CE • Alta corriente de 4 Amperios • Frecuencia de operación a 130 MHz • Potencia media de 1.2 Watt • Formato compacto TO-92 Características Eléctricas • V CEO : 100 V • I C (continua): 4 A • f T : 130 MHz • P tot : 1.2 W • h FE : 100-300 • V CE(sat) : 14-200 mV • V BE(sat) : 960-1100 mV Características Mecánicas • Encapsulado: TO-92 • Temperatura de operación: -55 a +200 °C • Resistencia térmica (Junto a Ambiente): 150 °C/W • Resistencia térmica (Junto a Carcasa): 50 °C/W Características de Voltaje • V CBO : 200 V • V CEO : 100 V • V EBO : 6 V • V CE(sat) : 14-200 mV • V BE(sat) : 960-1100 mV Características de Corriente • I C (continua): 4 A • I C (pico): 10 A • I CBO : 5-10 nA • I EBO : 10 nA Características de Frecuencia • f T : 130 MHz • f test : 50 MHz Características de Conmutación • t on : 50 ns • t off : 1650 ns Características de Potencia • P tot a 25°C: 1.2 W • P tot práctica: 1.58 W Aplicaciones Típicas • Conmutación de alta corriente • Amplificación de RF • Circuitos de potencia media • Fuentes de alimentación • Control de motores • Circuitos de protección
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Preguntas frecuentes
Este transistor opera a una frecuencia de hasta 130 MHz.