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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01. MRF644
Radiocomunicación

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01. MRF644

$675MXN

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Producto original

Descripción

El transistor NPN de potencia RF MRF644 es un componente esencial para amplificadores de señal UHF, diseñado para operar a una frecuencia de 470 MHz. Este transistor, hecho de silicio, proporciona una ganancia de 6.2 dB y una potencia de salida de 25 Watts, ideal para aplicaciones de radiocomunicación y equipos FM industriales.

  • Frecuencia de operación: 470 MHz
  • Ganancia de potencia de 6.2 dB
  • Poder de salida de hasta 25 Watts
  • Voltaje de colector-emisor (VCEO): 16 Vdc
  • Corriente colector máxima (IC): 4.0 Adc

Imagina un taller de radiocomunicación donde un ingeniero instala el MRF644 en un amplificador. Mientras ajusta la configuración, se percata de que la señal de transmisión se mantiene estable, incluso con condiciones de carga fluctuante. Con su capacidad de soportar hasta 512 MHz y su red de coincidencia integrada, este transistor asegura que la comunicación no se interrumpa, manteniendo la eficiencia del sistema.

N° de parte: MRF644

SKU: 24153

Garantía: 3 años

Descripción del fabricante: Características Principales • Transistor NPN de potencia RF • Frecuencia de operación: 470 MHz • Ganancia: 6.2 dB • Potencia de salida: 25 Watt • Tecnología de silicio avanzada Ratings Máximos • Voltage Colector-Emisor (VCEO): 16 Vdc • Voltage Colector-Base (VCBO): 36 Vdc • Voltage Emisor-Base (VEBO): 4.0 Vdc • Corriente Colector (IC): 4.0 Adc • Disipación total (TC = 25°C): 103 Watts • Derating: 0.59 W/°C sobre 25°C • Rango temperatura almacenamiento: -65 a +150 °C Características Térmicas • Resistencia térmica (Juntura a Carcaza): 1.7 °C/W Características Eléctricas (TC = 25°C) Características OFF • Voltage ruptura Colector-Emisor: 16 Vdc (IC = 20 mAdc, IB = 0) • Voltage ruptura Colector-Base: 36 Vdc (IC = 20 mAdc, VBE = 0) • Voltage ruptura Emisor-Base: 4.0 Vdc (IE = 5.0 mAdc, IC = 0) • Corriente fuga Colector: ≤5.0 mAdc (VCE = 15 Vdc, VBE = 0) Características ON • DC Current Gain (hFE): 40-100 (IC = 4.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc) Características Dinámicas • Capacitancia de salida (Cob): 60-85 pF (VCB = 12.5 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) Pruebas Funcionales • Amplificador común emisor: Ganancia de potencia 6.2-7.0 dB • Voltage de alimentación: 12.5 Vdc • Potencia de entrada: 5.0-6.0 Watts • Eficiencia del colector: 55-60% • Impedancia entrada: 1.2 + j3.3 Ohms • Impedancia salida: 1.9 + j2.1 Ohms Diagramas y Gráficas • Potencia de salida vs Potencia de entrada • Potencia de salida vs Frecuencia • Potencia de salida vs Voltaje de alimentación • Perfil de saturación de potencia • Impedancia entrada/salida equivalente en serie Dimensiones del Paquete Código: CASE 316-01, STYLE 1 • Dimensiones: 24.38-25.14 mm (A) x 12.45-12.95 mm (B) x 5.97-7.62 mm (C) • Conexiones: 1.Emisor, 2.Colector, 3.Emisor, 4.Base Aplicaciones • Amplificadores de señal grande UHF a 12.5 Volt • Equipos FM industriales y comerciales • Operación hasta 512 MHz • Sistemas con requisitos de impedancia controlada Características Destacadas • Red de coincidencia integrada para operación de banda ancha • Probado para estrés de desadaptación de carga • 20:1 VSWR en todos los ángulos de fase • 16-Volt High Line y 50% de sobreimpulso

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Preguntas frecuentes

Este transistor es ideal para amplificadores de señal grande UHF y equipos FM industriales y comerciales.