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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB. MRF475
Radiocomunicación

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB. MRF475

$487MXN

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Descripción

El transistor NPN de potencia RF MRF475 es la pieza clave para amplificar señales en aplicaciones de radiocomunicación, operando eficientemente hasta 30 MHz. Su diseño en silicio permite manejar una tensión de colector-emisor de 13.6 VCC y soporta corrientes de hasta 4.0 Amperios, lo que lo convierte en un componente confiable para transmisores y receptores de radio.
  • Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
  • Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
  • Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
  • Potencia de salida máxima de 10 Watts
  • Paquete TO-220AB para fácil integración
En un taller de reparación de radios, el MRF475 es el transistor que se utiliza para restaurar la potencia de transmisión en un equipo antiguo. Al reemplazar un transistor desgastado, el técnico observa cómo la señal se estabiliza y mejora la calidad de la comunicación, permitiendo que los clientes vuelvan a disfrutar de sus emisoras favoritas sin interrupciones. Este transistor es esencial en el mantenimiento de equipos de radiocomunicación, asegurando que cada transmisión se escuche con claridad.

N° de parte: MRF475

SKU: 24141

Garantía: 3 años

Descripción del fabricante: Características Principales • Transistor NPN de potencia RF de silicio • Frecuencia operativa de hasta 30 MHz • Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC • Capacidad de corriente de 4.0 Amperios • Potencia de salida máxima de 10 Watt Máximos Ratings • I C : 4.0 A • V CE : 18 V • V CB : 48 V • P D : 10 W @ T C = 25 °C • T STG : -65 °C to +150 °C • T J : -65 °C to +150 °C • θ J-C : 12.5 °C/W Características Eléctricas • BV CEO : 18 V @ I C = 20 mA • BV CES : 48 V @ I C = 50 mA • BV EBO : 4.0 V @ I E = 5.0 mA • I CBO : 1.0 mA @ V CB = 25 V • h FE : 30-60 @ V CE = 5.0 V, I C = 500 mA • C ob : 125-145 pF @ V CB = 13.6 V, f = 1.0 MHz • G P : 10-12 dB • η: 40% @ P out = 12 W (PEP), V CC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, I CQ = 300 mA • IMD: -30 dB Configuración Física • Paquete: TO-220AB (Common Emitter) • Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR

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Preguntas frecuentes

Este transistor es ideal para amplificar señales en transmisores y receptores de radiocomunicación.