Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N). TPL COMMUNICATIONS B2114
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Producto original
Descripción
El transistor de potencia TPL COMMUNICATIONS B2114 es un componente esencial para sistemas de radiocomunicación, especialmente diseñado para operar en frecuencias de hasta 470 MHz. Con una potencia de salida de 70 Watts y una tensión de alimentación de 12.5 Vdc, es ideal para equipos de comunicación móvil y amplificadores de señal RF.
- Frecuencia de operación: hasta 470 MHz
- Potencia de salida: 70 Watts
- Eficiencia: 60%
- Ganancia: 11.5 dB
- Capacidad para manejar VSWR de 20:1
- Protección ESD y cumplimiento con RoHS
Imagina una sala de control donde el equipo de comunicación depende de la claridad y el alcance del sonido. Con el B2114 instalado en sus amplificadores, los operadores pueden transmitir y recibir mensajes sin interrupciones, asegurando que cada comunicación sea efectiva, incluso en situaciones críticas. Tener un transistor de calidad como este garantiza que las operaciones fluyan sin contratiempos.
N° de parte: B2114
SKU: 79186
Garantía: 3 años
Descripción del fabricante: Características Principales • Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz • Potencia de salida: 70 Watts • Tensión de alimentación: 12.5 Vdc • Ganancia: 11.5 dB • Eficiencia: 60% • Tecnología: MOSFET de canal N lateral • Capacidad para manejar VSWR de 20:1 • Paquete plástico capaz de 200°C • Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo) Aplicaciones • Equipos de comunicación móvil FM • Amplificadores de señal RF • Equipos industriales y comerciales • Sistemas de radiofrecuencia Características de Diseño • Estabilidad térmica excelente • Parámetros de impedancia equivalente en serie • Disponibilidad de información del amplificador de demostración • Paquete plástico TO-272-8 • Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm) Ratings Máximos • Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc • Voltage G-S: ±20 Vdc • Disipación: 165 W @ 25°C • Derating: 0.5 W/°C sobre 25°C • T. Almacenamiento: -65 a +150 °C • T. Unión: 200 °C Características Térmicas • RθJC: 0.29 °C/W Protección ESD • Modelo Humano: Clase 1 (Mínimo) • Modelo Máquina: M2 (Mínimo) • Modelo Carga Dispositivo: C2 (Mínimo) Sensibilidad a la Humedad • Estándar: JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020 • Nivel: 3 • Temperatura pico: 260 °C Características OFF • IDSS: Máx 1 μA (VDS = 60 Vdc, VGS = 0 Vdc) Características ON • VGS(th): 1 a 3 Vdc (VDS = 12.5 Vdc, ID = 0.8 mAdc) • VDS(on): Máx 1 Vdc (VGS = 10 Vdc, ID = 2.0 Adc) Características Dinámicas • Ciss: Máx 500 pF • Coss: Máx 250 pF • Crss: Máx 35 pF Características RF • Ganancia: 11.5 dB • Eficiencia: 60% Frecuencias de Operación • 135-175 MHz • 400-470 MHz • 450-520 MHz Configuración del Amplificador • Amplificador de fuente común • Polarización de compuerta y drenaje • Redes de entrada/salida con microstrip • Componentes pasivos de RF Condiciones de Prueba • VDD = 12.5 Vdc • IDQ = 800 mA • Frecuencia de prueba: 470 MHz • Pout = 70 W • Pin = 36-38 dBm Componentes de Prueba • Condensadores de chip de 100 mil • Inductores de 1 a 2 vueltas • Resistencias de chip (1206) • Beads de ferrita • Microstrip de diferentes dimensiones • Condensadores electrolíticos Condiciones Ambientales • Temperatura de prueba: 25°C • Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C • Temperatura de operación: Hasta 200 °C
Documentos
Preguntas frecuentes
El B2114 está diseñado para sistemas de comunicación móvil y amplificadores de señal RF, por lo que es importante verificar la compatibilidad con tu equipo específico.
