Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt. PARTS RD70HUF2

N° de parte: RD70HUF2

SKU: 163586

Garantía: 3 años

Descripción del fabricante: Características principales • Potencia de salida de hasta 84W típicamente • Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz • Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete • Diodo integrado de protección para la puerta • Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia Especificaciones eléctricas • Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.) • Tensión puerta-fuente: -5/+10V • Disipación del canal: 300W • Corriente de drenaje: 20A (máx.) • Temperatura de canal: 175°C • Resistencia térmica: 0.5°C/W Desempeño RF • Potencia de salida: 84W típico a 175MHz • Eficiencia: 74% típico a 175MHz • Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz • Potencia de salida: 75W típico a 530MHz • Eficiencia: 64% típico a 530MHz • Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz Frecuencia de operación • Rango VHF: 135-175 MHz • Rango UHF: 450-530 MHz • Frecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHz Condiciones de prueba • Tensión de prueba: 12.5V • Corriente de polarización: 1.0A total / 0.5A por lado • Impedancia: 50 • Tasa de VSWR: 20:1 Compatibilidad • Cumple con RoHS • Plomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%) • Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperatura Aplicaciones • Etapa de salida de amplificadores de alta potencia • Sistemas de radio móvil VHF/UHF • Equipos de comunicación de banda ancha Condiciones ambientales • Temperatura de operación: -40°C a 175°C • Temperatura de almacenamiento: -40°C a 175°C • Temperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique) Características eléctricas típicas • Corriente de drenaje sin tensión de puerta: 150 A • Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5 A • Tensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) - 2.4V (máx.) Configuración del circuito • Paquete de moldeado • Conexión de múltiples electrodos • Diseño para evaluación VHF (135-175MHz) Composición del paquete • Material: Silicio • Encapsulado: Paquete de molde • Configuración de pines • Cumple con estándares RoHS Configuración de pines • 1. Fuente (común) • 2. Drenaje • 3. Drenaje • 4. Fuente (común) • 5. Fuente (común) • 6. Puerta • 7. Puerta • 8. Fuente (común) • 9. Fuente (común) Características de diseño • Diseño para alta eficiencia • Optimizado para VHF/UHF • Conexión de múltiples electrodos • Construcción de bajo ESR Evaluación y prueba • Evaluación en placa de prueba VHF • Impedancia característica: 50 • Material del sustrato: Epoxi de vidrio • Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz • Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz • Documentación: AN-VHF-049 Componentes asociados • Capacitores cerámicos de alta Q • Bobinas de precisión • Resistencias de chip SMD • Capacitores electrolíticos de 220 F