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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM. PARTS 2SC-3320
RadiocomunicaciónPARTS

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM. PARTS 2SC-3320

$95MXN

Agotado

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Producto original

Descripción

El PARTS 2SC-3320 es un transistor de potencia en silicio tipo NPN diseñado para aplicaciones que requieren alta capacidad de manejo de corriente y voltaje. Este componente es esencial en circuitos de regulación, generadores ultrasónicos e inversores de alta frecuencia, donde la confiabilidad y el rendimiento son cruciales.

  • Voltaje de colector a base de hasta 500 V.
  • Corriente máxima de colector de 15 A.
  • Capacidad de disipación de hasta 80 W.
  • Empaque TO-3PN, que proporciona alta confiabilidad.
  • Temperatura de operación de hasta 150 °C.

Imagina una pequeña empresa de radiocomunicaciones que utiliza el 2SC-3320 en sus amplificadores de potencia. Un día, uno de sus amplificadores comienza a fallar debido a un transistor dañado. Reemplazan rápidamente el transistor por un PARTS 2SC-3320 y, en pocos minutos, el amplificador vuelve a funcionar, permitiendo que el equipo de transmisión regrese al aire sin interrupciones. Tener transistores como este en stock puede evitar pérdidas significativas de tiempo y dinero.

N° de parte: 2SC3320

SKU: 4202

Garantía: 3 años

Descripción del fabricante: Características Principales • Transistor NPN de silicio para alta potencia • Voltaje de colector a base hasta 500 V • Corriente máxima de 15 A • Capacidad de disipación hasta 80 Watt • Empaque TO-3PN para alta confiabilidad Aplicaciones • Reguladores de Switcheo • Generadores Ultrasónicos • Inversores de Alta Frecuencia • Amplificadores de Potencia de Uso General Características Eléctricas • V CBO : 500 V (Colector-Base) • V CEO : 400 V (Colector-Emisor) • V EBO : 7 V (Emisor-Base) • I C : 15 A (Corriente de Colector) • P C : 80 W (Disipación de Potencia) Especificaciones Técnicas • Tensión de ruptura V (BR)CEO : 400 V • Tensión de ruptura V (BR)CBO : 500 V • V CEsat : 1.0 V (I C =6A, I B =1.2A) • V BEsat : 1.5 V (I C =6A, I B =1.2A) • Corriente de fuga I CBO : 1.0 mA (V CB =500V, I E =0) Características Térmicas • R th(j-c) : 1.56 °C/W (Resistencia térmica) • T j : 150 °C (Temperatura de unión) • T stg : -65~150 °C (Almacenamiento) Conexiones (TO-3PN) • Pin 1: Base • Pin 2: Colector (conectado a base de montaje) • Pin 3: Emisor Tiempo de Conmutación • t on : 0.5 µs • t s : 1.5 µs (I B2 =-3A, R L =20Ω) • t f : 0.15 µs Ganancia de Corriente • h FE : 10 (I C =6A, V CE =5V)

Preguntas frecuentes

Este transistor es ideal para reguladores de switcheo, generadores ultrasónicos, inversores de alta frecuencia y amplificadores de potencia.